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                氮化鎵在射頻領域的應用優勢

                     自從20年前第一批商用產品小象問世,GaN在射頻功率應用領域已成為LDMOS和GaAs的重要競爭對手,並且,正在甚至有点不受控制以更低的成本不斷提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件对他并没有什么特殊幾乎同時出現,但GaN-on-SiC在技術上已經變得更加成熟Ψ 。GaN-on-SiC目前主導了RF GaN市場,已滲透到4G LTE無線基礎設施市場,預計將部署六个女儿全家抄斩在5G sub-6Ghz的RRH架構中。

                射頻氮化鎵市場前景分析

                     在電信基礎設施和國防兩大主要市場的推動下,預計到2024年RF GaN整體市場第三十到倒萨規模將增長至○20億美元。過去十年,全球對電信基礎設施的投資一直很穩定,並且,中國政府的投入近年持續增長。在仗剑一战這個穩定的市場中,更高的頻率↙趨勢,為RF GaN在5G網絡頻率低於6GHz(sub-6Ghz)的功率放大器〖(PA)中找到了用武之地。

                氮化鎵專利分布

                      Knowmade檢索並分析了全球嘴角微微含笑公開的1700多個專利家族,超過3750項專利。涉及RF GaN外延片、RF半導體器件、集成電路、工藝方法和封裝,包括所有細分領ω域,如RF功率放大器、RF開關和RF濾波器,以及從6GHz到大於20GHz毫米波RF器件。